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300度高溫IGBT代理承諾守信「多圖」diy紙巾盒

   日期:2024-03-08     作者:北京啟爾特    瀏覽:30    評論:0    
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200度高溫晶體管

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晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。

晶體管有三個極: 雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發射極(Emitter)、基極(base)和集電極(Collector); 場效應晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。

175度三極管

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耗散功率耗散功率也稱集電極允許耗散功率PCM,是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的集電極耗散功率。

耗散功率與晶體管的允許結溫和集電極電流有密切關系。晶體管在使用時,其實際功耗不允許超過PCM值,否則會造成晶體管因過載而損壞。

通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管,將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。

250度高溫整流器

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晶閘管整流器

在設計上非常接近二極管整流器的是晶閘管整流器[1]。因為晶閘管整流器的電參數是可控的,所以不需要有載抽頭變換器和飽和電抗器。

因為晶閘管整流器不包含運動部件,所以晶閘管整流器系統的維修減少了。注意到的一個優點是晶閘管整流器的調節速度較二極管整流器快。在過程特性的階躍期間,晶閘管整流器常常調節很快,以致能夠避免過電流。而變容二極管(VaricapDiode)則用來當作電子式的可調電容器。其結果是晶閘管系統的過載能力能夠設計得比二極管系統小。

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