泛半導(dǎo)體工藝伴隨許多種特殊制程，會(huì)使用到大量超高純（ppt 級(jí)別）的干濕化學(xué)品，這是完成工藝成果的重要介質(zhì)，其特點(diǎn)是昂貴并伴隨排放。在集成電路領(lǐng)域，高純工藝系統(tǒng)主要包括高純特氣系統(tǒng)、大宗氣體系統(tǒng)、高純化學(xué)品系統(tǒng)、研磨液供應(yīng)及回收系統(tǒng)、前驅(qū)體工藝介質(zhì)系統(tǒng)等。其中，各類(lèi)高純氣體系統(tǒng)主要服務(wù)于幾大干法工藝設(shè)備，各類(lèi)高純化學(xué)品主要服務(wù)于濕法工藝設(shè)備。

半導(dǎo)體是許多工業(yè)整機(jī)設(shè)備的，普遍應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類(lèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子等領(lǐng)域，半導(dǎo)體主要由四個(gè)部分組成：集成電路、光電器件、分立器件和傳感器，其中集成電路在總銷(xiāo)售額占比高達(dá)80%以上，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)域。半導(dǎo)體清洗用于去除半導(dǎo)體硅片制造、晶圓制造和封裝測(cè)試每個(gè)步驟中可能存在的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響芯片良率和芯片產(chǎn)品性能目前，隨著芯片制造程度的持續(xù)提升，對(duì)晶圓表面污染物的控制要求不斷提高，每一步光刻、刻蝕、沉積等重復(fù)性工序后，都需要一步清洗工序。

干法清洗主要是采用氣態(tài)的刻蝕不規(guī)則分布的有結(jié)構(gòu)的晶圓二氧化硅層，雖然具有對(duì)不同薄膜有高選擇比的優(yōu)點(diǎn)，但可清洗污染物比較單一，目前在 28nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的邏輯產(chǎn)品和存儲(chǔ)產(chǎn)品有應(yīng)用。晶圓制造產(chǎn)線上通常以濕法清洗為主，少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結(jié)合的方式互補(bǔ)所短，在短期內(nèi)濕法工藝和干法工藝無(wú)相互替代的趨勢(shì)，目前濕法清洗是主流的清洗技術(shù)路線，占比達(dá)芯片制造清洗步驟數(shù)量的 90%。

一種半導(dǎo)體氧化設(shè)備,其配有:由室壁界定的可密封氧化室;設(shè)置于氧化室內(nèi),并用來(lái)支撐半導(dǎo)體樣品的基座;用于向所述氧化室供應(yīng)對(duì)所述

半導(dǎo)體樣品的特定部分進(jìn)行氧化的水蒸汽的供應(yīng)部分;監(jiān)測(cè)窗，其設(shè)置于所述氧化室的室壁之一內(nèi),并且設(shè)置于能夠面對(duì)支撐于所述基座上的所述半導(dǎo)體樣品的位置處;監(jiān)測(cè)部分,其設(shè)置于所述氧化室之外，并且能夠經(jīng)由所述監(jiān)測(cè)窗面對(duì)支撐于所述基座上的半導(dǎo)體樣品;以及調(diào)整所述基座和所述監(jiān)測(cè)部分之間的距離的調(diào)整部分。