公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

分辨MOS管優(yōu)劣的原因：JFET的輸入電阻超過100MΩ，而且跨導(dǎo)很高，當(dāng)柵極引路時室內(nèi)空間磁場非常容易在柵極上檢測出工作電壓數(shù)據(jù)信號，使管道趨向截至，或趨向通斷。若將身體感應(yīng)電壓立即加在柵極上，因為鍵入電磁干擾較強，以上情況會更為顯著。如表針向左邊大幅偏轉(zhuǎn)，就代表著管道趨向截至，漏-源極間電阻器RDS擴大，漏-源極間電流量減少IDS。相反，表針向右邊大幅偏轉(zhuǎn)，表明管道趨于通斷，RDS↓，IDS↑。但表針到底向哪一個方位偏轉(zhuǎn)，應(yīng)視感應(yīng)電壓的正負(fù)極（正方向工作電壓或反方向工作電壓）及管道的工作中點而定。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS 管本身有著諸多優(yōu)勢，但同時MOS管具備較敏感的短時過載能力，特別是在高頻率的運用場景，因此在運用功率 MOS 管務(wù)必為其制定有效的保護電路來提升器件的穩(wěn)定性。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

現(xiàn)階段我國市場上電動車早已愈來愈多，其環(huán)境保護的特征也獲得了我國的認(rèn)同，而且有替代汽柴油代步工具的發(fā)展趨勢，電動車也跟別的代步工具一樣，儀表盤上邊體現(xiàn)汽車各系統(tǒng)運行情況，具有了不可或缺的功效，而跟儀表盤電路原理所采用的MOS管可能危害到儀表盤的質(zhì)量。

MOS管失效的兩個主要原因：

電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，達(dá)到一定容量，造成MOS管失效。

柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。

雪崩破壞到底是什么？簡單地說，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之，即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值，并且達(dá)到了某一能量極限i時所產(chǎn)生的常見故障。

造成柵電壓異常高的主要原因有三個：生產(chǎn)、運輸和裝配過程中的靜電；設(shè)備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運行過程中產(chǎn)生高壓諧振；在高壓沖擊時，高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測試時這種故障更為常見)。