在所有應用產業中，半導體產業對靶材濺射薄膜的品質要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。靶材的結晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關系極大，過99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。用間歇式硫化法進行硫化處理制造輥筒時，由于端部和中央部分會產生壓力和熱傳遞差，所以電阻值不均勻。

鎢-鈦（W-Ti）膜以及以鎢-鈦（W-Ti）為基的合金膜是高溫合金膜，具有一系列的優良性能。鎢具有高熔點、高強度和低的熱膨脹系數等性能，W/ Ti 合金具有低的電阻系數、良好的熱穩定性能。如各種器件都需要起到導電作用的金屬布線，例如Al 、Cu 和Ag 等已經被廣泛的應用和研究。但是布線金屬本身易 氧化、易與周圍的環境發生反應,與介質層的粘結性差,易擴散進入Si 與SiO2 等器件的襯底材料中，并且在較低的溫度下會形成金屬與Si 的化合物, 充當了雜質的角色,使器件的性能大幅度下降。另外一般的電阻測量儀器受溫度和濕度的影響較大，無法測量，導致不能得出的數值，從而不能保證廣品的品質。

1：金屬鍍鈀，鍍鈀銅提鈀技術：首先把鍍鈀銅等表面鍍鈀料放入容器中，再加入自配退鈀溶液，數秒中后表面鈀退凈，取出鍍鈀銅基體(此方法對基體無傷害,再用自配化學試劑，鈀和溶液分離

2：合金含鈀，銅鈀合金提鈀技術：把銅鈀合金放入容器中，加入自配化學品把銅鈀合金溶解成液體，再用自配化學試劑把鈀和溶液分離。

3：廢鈀碳催化劑提鈀，首先用物理原理把碳等有機物去除，剩下金屬鈀，再用化學試劑溶解金屬鈀，再進行下一步鈀分離。