半導電膠輥通常用在復印機、電子傳真裝置等辦公設備中。半導電膠輥屬于半導電元件，且電阻值受環境影響較大，對產品的導電性要求極其嚴格，因為打印的全過程是碳粉通過電場的壓力來實施，所以輕微的電性誤差將導致在打印過程中文字和圖片深淺不一的現象。主要有四種提純方法在試驗室中使用，即真空熔融，真空蒸餾或升華，電遷移和區域熔煉。因此需精密的量測，故要求有一套高精密的量測系統來支持，方能達到產品的設計要求。

磁控濺射靶材種類：金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化銦靶材（InP），鉛靶材（PbAs），銦靶材（InAs）。王水貴金屬溶液的濃縮趕硝故名思議是兩段工序，濃縮的目的是將溶液中可在沸騰下揮發的酸和水盡量揮發徹底，以便適合趕硝的藥劑和濃度盡量高的無水硝基物或殘余快速反應，以達到徹底趕硝的目的。

區域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 厘米時，純度相當于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經過特殊處理。

由于鍺中有少數雜質如磷、鋁、硅、硼的分配系數接近于1或大于1，要加強化學提純方法除去這些雜質，然后再進行區熔提純。電子級純的區熔鍺錠用霍爾效應測量雜質（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。所述泡沫彈性層包含:至少三種具有不同體積電阻率的導電性橡膠,這三種導電性橡膠的體積電阻率小于約IXο14ΩCm。經切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器,其分辨率已接近于理論數值。

在鉑族金屬的應用中，光學玻璃行業是鉑的重要的應用領域，鉑是制造熔制光學玻璃的坩堝和攪拌器的必選材料，由于光學玻璃的特殊性，提出了對坩堝和攪拌器的更苛刻的適用要求，早在八十年代初期，國內就有人提出了用彌散強化鉑來制作坩堝和攪拌器。

21世紀展現良好發展前景的納米技術，貴金屬由于它們的獨特優異的物理化學性能，資源的稀缺性以及在已知的傳統產業領域的不斷擴大應用和在未知領域的不斷開拓探索，成為納米技術早和相當重要的研究對象之一。