多晶硅電池片

多晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材料，而制造這些材料工藝復(fù)雜，電耗很大，在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)總成本中己超二分之一。目前太陽(yáng)能電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅料和冶金級(jí)硅材料熔化澆鑄而成。其工藝過(guò)程是選擇電阻率為100～300歐姆?厘米的多晶塊料或單晶硅頭尾料，經(jīng)破碎，用1：5的和混合液進(jìn)行適當(dāng)?shù)母g，然后用去離子水沖洗呈中性，并烘干。用石英坩堝裝好多晶硅料，加入適量硼硅，放人澆鑄爐，在真空狀態(tài)中加熱熔化。熔化后應(yīng)保溫約20分鐘，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽(yáng)電池片，可提高材制利用率和方便組裝。多晶硅太陽(yáng)能電池的制作工藝與單晶硅太陽(yáng)能電池差不多，其光電轉(zhuǎn)換效率約12％左右，稍低于單晶硅太陽(yáng)能電池，但是材料制造簡(jiǎn)便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。

電池片工藝流程　　制絨（INTE）--擴(kuò)散（1DIF）---后清洗（刻邊/去PSG）----鍍減反射膜PECVD----絲網(wǎng)、燒結(jié)。（PRINTER）---測(cè)試、分選（TESTER+SORER----包裝（PACKING）。

1、制絨

制絨的目的是在硅片表面形成絨面面，以減少電池片的反射率，絨面凹凸不平可以增加二次反射，改變光程及入射方式。通常情況下用堿處理單晶，可以得到金字塔狀絨面；用酸處理多晶，可以得到蟲(chóng)孔狀無(wú)規(guī)則絨面。處理方式區(qū)別主要在與單多晶性質(zhì)的區(qū)別。

工藝流程：制絨槽→水洗→堿洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。

一般情況下，硅與HF、HNO3（硅表面會(huì)被鈍化）認(rèn)為是不反應(yīng)的。當(dāng)存在于兩種混合酸的體系中，硅與混合溶液的反應(yīng)是持續(xù)性的。

擴(kuò)散

擴(kuò)散是為電池片制造心臟，是為電池片制造P-N結(jié)，POCl3是當(dāng)前磷擴(kuò)散用較多的選擇。POCl3為液態(tài)磷源，液態(tài)磷源擴(kuò)散具有生產(chǎn)效率較高、穩(wěn)定性好、制得PN結(jié)均勻平整及擴(kuò)散層表面良好等優(yōu)點(diǎn)。

POCl3在大于600℃的條件下分解生成（PCl5）和（P2O5），PCl5對(duì)硅片表面有腐蝕作用，當(dāng)有氧氣O2存在時(shí)，PCl5會(huì)分解成P2O5且釋放出，所以擴(kuò)散通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通入一定流量的氧氣。P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅和磷原子，生成的P2O5淀積在硅片表面與硅繼續(xù)反應(yīng)生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中擴(kuò)散，制得N型半導(dǎo)體。

什么是電路板？

用于支撐蝕刻銅軌道和導(dǎo)電特征的常見(jiàn)的非導(dǎo)電材料電路板是由編織玻璃纖維布和環(huán)氧樹(shù)脂制成的復(fù)合材料。令人驚訝的是，這種材料通常是灰白色，而不是綠色。稍后將綠色（或任何其他顏色）添加為電路板制造過(guò)程中的步驟之一。這種增加的顏色層稱(chēng)為焊錫標(biāo)記，用于保護(hù)銅的頂層和底層，否則將暴露。

雖然由玻璃纖維和環(huán)氧樹(shù)脂制成的普通基板足以滿足許多電子設(shè)備的需要，它可能不適用于其他人，因?yàn)椴⒎撬性O(shè)備都是為相同的目的，應(yīng)用或環(huán)境而制造的。許多電子器件要求PCB基板滿足某些特性，因此需要更先進(jìn)或特殊類(lèi)型的基板。這些要求可以包括一定程度的耐溫性，抗沖擊性和脆性，僅舉幾例，但屬性和資格列表可以是廣泛的。單擊鏈接以了解有關(guān)可用于電路板制造的不同類(lèi)型材料的更多信息。