MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

做電源設計，或者做驅動方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關作用。

無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度應該比三極管快。

MOS管失效的兩個主要原因：

電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，達到一定容量，造成MOS管失效。

柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。

雪崩破壞到底是什么？簡單地說，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之，即MOS管漏源極的電壓超過了它規定的電壓值，并且達到了某一能量極限i時所產生的常見故障。

造成柵電壓異常高的主要原因有三個：生產、運輸和裝配過程中的靜電；設備和電路寄生參數在電力系統運行過程中產生高壓諧振；在高壓沖擊時，高壓通過Ggd傳輸到電網(雷擊測試時這種故障更為常見)。

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做電源電路，或是做推動領域的電源電路，免不了要使用MOS管。MOS管有很多類型，也是有許多功效。做開關電源或是推動的應用，自然便是用它的開關功效。

不管N型或是P型MOS管，其原理實質是一樣的。MOS管是由加在鍵入端柵極的電流來調節輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它根據加在柵極上的電流操縱器件的特點，不容易產生像三極管做開關時的因基極電流造成的正電荷儲存效用，因而在開關運用中，MOS管的開關速率應當比三極管快。