近年，隨著圖像質(zhì)量的提高，色粉直徑也越來(lái)越小。在微孔孔徑較大的發(fā)泡輥筒中，色粉進(jìn)入輥筒的微孔內(nèi)不易去除，所以存在圖像混亂的問(wèn)題。如今開(kāi)發(fā)出來(lái)的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58，而TbFeCofFa則可以接近0。因此，對(duì)于使用微細(xì)色粉的高畫(huà)質(zhì)復(fù)印機(jī)和打印機(jī)用輥筒，特別是色粉供給輥，要求更細(xì)的微孔。在制造發(fā)泡輥筒時(shí)，與間歇式方法相比，連續(xù)硫化處理法的優(yōu)點(diǎn)是能夠使發(fā)泡微孔的直徑更小。以往的導(dǎo)電輥使用了不會(huì)因其中的導(dǎo)電性填充劑的不均勻而導(dǎo)致電阻值不均勻的離子導(dǎo)電性橡膠，但是問(wèn)題在于很難采用經(jīng)濟(jì)上及效率上都有利的連續(xù)硫化法進(jìn)行制造。

在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來(lái)．而互連線的寬度卻在減小。王水在溶解了貴金屬的溶液中有大量的殘余和硝基物的存在給后續(xù)提煉或精煉貴金屬帶來(lái)操作困難或失敗，嚴(yán)重影響貴金屬的提煉或精煉工藝順利進(jìn)行，嚴(yán)重影響貴金屬回收率，故王水貴金屬溶液的濃縮趕硝是緊隨溶解其后的務(wù)必工序。硅片制造商對(duì)靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，過(guò)99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無(wú)法滿足如今0.25um的工藝要求。

王水在溶解了 的溶液中有大量的殘余和 硝基物的存在給后續(xù)提煉或精煉帶來(lái)操作困難或失敗，嚴(yán)重影響的提煉或精煉工藝順利進(jìn)行，嚴(yán)重影響回收率，故王水溶液的濃縮趕硝是緊隨溶解其后的務(wù)必工序！尤其在鉑族金屬的精煉中嚴(yán)重影響水解的順利進(jìn)行和回收率。

王水溶液的濃縮趕硝故名思議是兩段工序，濃縮的目的是將溶液中可在沸騰下?lián)]發(fā)的酸和水盡量揮發(fā)徹底，以便適合趕硝的藥劑和濃度盡量高的無(wú)水硝基物或殘余快速反應(yīng)，以達(dá)到徹底趕硝的目的。