隱裂、熱斑、PID效應，是影響晶硅光伏組件性能的三個重要因素。

1. 什么是“隱裂”

隱裂是晶體硅光伏組件的一種較為常見的缺陷，通俗的講，就是一些肉眼不可見的細微（micro-crack）。晶硅組件由于其自身晶體結構的特性，十分容易發生。

在晶體硅組件生產的工藝流程中，許多環節都有可能造成電池片隱裂。隱裂產生的根本原因，可歸納為硅片上產生了機械應力或熱應力。現在為了降低成本，晶硅電池片向越來越薄的方向發展，降低了電池片防止機械破壞的能力，更容易產生隱裂。

隱裂、熱斑、PID效應，是影響晶硅光伏組件性能的三個重要因素。

形成“隱裂”的原因

外力：電池片在焊接、層壓、裝框或搬運、安裝、施工等過程中會受外力，當參數設置不當、設備故障或操作不當時會造成隱裂。

高溫：電池片在低溫下沒有經過預熱，然后在短時間內突然受到高溫后出現膨脹會造成隱裂現象，如焊接溫度過高、層壓溫度等參數設置不合理。

原材料：原材料的缺陷也是導致隱裂的主要因素之一。

芯片的背部減薄制程

1. Grinding制程：

對外延片以Lapping的方式雖然加工品質較好，但是移除率太低，也只能達到3um/min左右，如果全程使用Lapping的話，加工就需耗時約2h，時間成本過高。目前的解決方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通過鉆石砂輪與減薄機的配合來達到快速減薄的目的。

2. Lapping制程

減薄之后再使用6um左右的多晶鉆石液配合樹脂銅盤，既能達到較高的移除率，又能修復Grinding制程留下的較深刮傷。一般來說切割過程中發生裂片都是由于Grinding制程中較深的刮傷沒有去除，因此此時對鉆石液的要求也比較高。

除了裂片之外，有些芯片廠家為了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后還會在外延片背面鍍銅，此時對Lapping之后的表面提出了更高的要求。雖然有些刮傷不會引起裂片，但是會影響背鍍的效果。此時可以采用3um多晶鉆石液或者更小的細微性來進行Lapping制程，以達到更好的表面品質。