純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。按照非貴金屬相的形態和分布，可以分為：貴金屬層狀復合材料、彌散強化貴金屬復合材料、顆粒增強責金屬復合材料和貴金屬纖維復合材料四類。例如，隨著微電子行業的迅速發展，硅片尺寸由6”, 8“發展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質含量：靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和性元素含量都有特殊要求。

一般來說，利用濺鍍制程進行薄膜披覆有幾項特點：(1)金屬、合金或絕緣物均可做成薄膜材料。(2)再適當的設定條件下可將多元復雜的靶材制作出同一組成的薄膜。(3)利用放電氣氛中加入氧或其它的活性氣體，可以制作靶材物質與氣體分子的混合物或化合物。(4)靶材輸入電流及濺射時間可以控制，容易得到的膜厚。雜質含量：靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。(5)較其它制程利于生產大面積的均一薄膜。(6)濺射粒子幾不受重力影響，靶材與基板位置可自由安排。(7)基板與膜的附著強度是一般蒸鍍膜的10倍以上，且由于濺射粒子帶有高能量，在成膜面會繼續表面擴散而得到硬且致密的薄膜，同時此高能量使基板只要較低的溫度即可得到結晶膜。

磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。這是因為這種材料在焊接時的流動性相當優越，光學玻璃用的各種鉑管材都是用這種方式制造，但在大批量生產某種規格的管材時，則會采納穿孔后拉拔成型（例如銀管）與無縫鋼管的生產原理殊同。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與原子發生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，終沉積在基片上。