在儲(chǔ)存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤(pán)的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤(pán)需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，用它制造的磁光盤(pán)具有存儲(chǔ)容量大，壽命長(zhǎng)，可反復(fù)無(wú)接觸擦寫(xiě)的特點(diǎn)。如今開(kāi)發(fā)出來(lái)的磁光盤(pán)，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。不僅是半導(dǎo)體材料，其他金屬也有同樣的情況，由于雜質(zhì)存在影響金屬的性能。經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強(qiáng)度。

區(qū)域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 厘米時(shí)，純度相當(dāng)于8～9，可以滿(mǎn)足電子器件的要求。但對(duì)于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測(cè)器級(jí)超純鍺，則尚須經(jīng)過(guò)特殊處理。

由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1，要加強(qiáng)化學(xué)提純方法除去這些雜質(zhì)，然后再進(jìn)行區(qū)熔提純。電子級(jí)純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應(yīng)測(cè)量雜質(zhì)（載流子）濃度，一般可達(dá)10～10原子/厘米。如今的iTO靶材有兩種．一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦混合后燒結(jié)，一種是采用銦錫合金靶材。經(jīng)切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達(dá)到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當(dāng)于13）所作的探測(cè)器,其分辨率已接近于理論數(shù)值。

超純金屬的檢測(cè)方法極為困難。痕量元素的化學(xué)分析系指一克樣品中含有微克級(jí)（10克/克）、毫微克級(jí)（10克/克）、微微克級(jí)（10克/克）雜質(zhì)的確定。常用的手段有中子和帶電粒子活化分析，原子吸收光譜分析，熒光分光光度分析，質(zhì)譜分析，化學(xué)光譜分析及氣體分析等。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來(lái)．而互連線的寬度卻在減小。在單晶體高純材料中，晶體缺陷對(duì)材料性能起顯著影響，稱(chēng)為物理雜質(zhì)，主要依靠在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中控制單晶平穩(wěn)均勻的生長(zhǎng)來(lái)減少晶體缺陷。

綁定的適用范圍

技術(shù)上來(lái)說(shuō)表面平整可進(jìn)行金屬化處理的靶材都可以用我司銦焊綁定技術(shù)綁定銅背靶來(lái)提高濺射過(guò)程的散熱性、提高靶材利用率。

建議綁定的靶材：

ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結(jié)靶材；

錫、銦等軟金屬靶；

靶材太薄、靶材太貴的情況等。

但下列情況綁定有弊端：

1.熔點(diǎn)低的靶材，像銦、硒等，金屬化的時(shí)候可能會(huì)變軟變形；

2.貴金屬靶材，一是實(shí)際重量易出現(xiàn)分歧，二是金屬化以及解綁的時(shí)候都會(huì)有浪費(fèi)料，建議墊一片銅片。