在氧化層中大部分的電荷效應是直接或間接地同熱氧化的工藝過程有關的。在800—1250~C的溫度范圍內，用干氧、濕氧或水汽進行的熱氧化過程有三個持續的階段，首先是環境氣氛中的氧進入到已生成的氧化層中，然后氧通過二氧化硅向內部擴散，當它到達Si02-Si界面時就同硅發生反應，形成新的二氧化硅。這樣不斷發生著氧的進入—擴散—反應過程，使靠近界面的硅不斷轉化為二氧化硅，氧化層就以一定的速率向硅片內部生長。

由陽極極化引起的金屬鈍化現象，叫陽極鈍化或電化學鈍化。金屬處于鈍化狀態能保護金屬防止腐蝕，但有時為了保證金屬能正常參與反應而溶解，又必須防止鈍化，如電鍍和化學電源等。金屬是如何鈍化的呢？其鈍化機理是怎樣的？首先要清楚，鈍化現象是金屬相和溶液相所引起的，還是由界面現象所引起的。有人曾研究過機械性刮磨對處在鈍化狀態的金屬的影響。

這些物質緊密地覆蓋在金屬表面上成為鈍化膜而導致金屬鈍化，化學鈍化則是像濃HNO3等氧化劑直接對金屬的作用而在表面形成氧化膜，或加入易鈍化的金屬如Cr、Ni等而引起的。化學鈍化時，加入的氧化劑濃度還不應小于某一臨界值，不然不但不會導致鈍態，反將引起金屬更快的溶解。

如采用某種能夠溶解金屬而與氧化膜不起作用的試劑，小心地溶解除去膜下的金屬，就可分離出能看見的鈍化膜，鈍化膜是怎樣形成的？當金屬陽極溶解時，其周圍附近的溶液層成分發生了變化。一方面，溶解下來的金屬離子因擴散速度不夠快（溶解速度快）而有所積累。