采用連續(xù)式硫化法的情況下，不會(huì)有因切去加壓成形產(chǎn)生的毛邊或一般的擠壓處理和在硫化處理槽內(nèi)進(jìn)行處理時(shí)橡膠管兩端翹起的部分而導(dǎo)致的橡膠浪費(fèi)，另外能夠縮短制造時(shí)間和減少人工費(fèi)用，因此能夠降低輥筒的制造成本，從這些方面考慮，此方法優(yōu)于間歇式硫化法。尼龍刷毛制成單片刷套，將單片刷套組合，并壓合在刷輥輥軸上，由鍵和兩端的端板固定后，對(duì)尼龍刷毛外圓周進(jìn)行整體車削。

此外，硫化處理后，由于對(duì)每個(gè)輥筒都進(jìn)行了剪切，所以基本上不會(huì)出現(xiàn)上述差別，這樣就可緩解長(zhǎng)度方向的電阻值的不均勻。

但是靶材制作困難，這是因?yàn)檠趸煵蝗菀谉Y(jié)在一起。稀土金屬制取(preparationofrareearthmetal),將稀土化合物還原成金屬的過程。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。日本的科學(xué)家采用Bizo作為添加劑，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的燒結(jié)溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā)，這樣能夠在液相燒結(jié)條件下得到比較純的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒，這樣可以簡(jiǎn)化前期的工序。

在儲(chǔ)存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。濺射靶材ITO靶材的生產(chǎn)工藝ITO靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結(jié)法。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，用它制造的磁光盤具有存儲(chǔ)容量大，壽命長(zhǎng)，可反復(fù)無接觸擦寫的特點(diǎn)。如今開發(fā)出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強(qiáng)度。