1、什么是外延和外延片？

外延也稱為外延生長，是制備高純微電子復合材料的一工藝過程，就是在單晶（或化合物）襯底材料上淀積一層薄的單晶（或化合物）層。新淀積的這層稱為外延層。淀積有外延層的襯底材料叫外延片。

2、哪些材料可以用作生長外延層的襯底材料，它們各自有哪些優缺點？

用得蕞廣泛的襯底材料是申化家，可用于生長外延層GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其優點是由于GaAs的晶格常數比較匹配可制成無位錯單晶，加工方便，價格較便宜。缺點是它是一種吸光材料，對PN結發的光吸收比較多，影響發光效率。

磷化家可生長GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的頂層，其優點是它是透明材料，可制成透明襯底提高出光效率。

生長InGaN和InGaAlN的襯底主要有藍寶石（Al2O3）、碳化硅和硅。藍寶石襯底的優點是透明，有利于提高發光效率，目前仍是InGaN外延生長的主要襯底。缺點是有較大的晶格失配；硬度高，造成加工成本高昂；熱導率較低，不利于器件的熱耗散，對制造功率led不利。碳化硅襯底有較小的晶格失配，硬度低，易于加工，導熱率較高，利于制作功率器件。

LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間較為小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能的多地出光。

渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下BZX79C18變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。

一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。

鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。

光刻工序結束后還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護下進行。

合金化的時間和溫度通常是根據半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。

當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。

電極加工也是制作LED芯片的關鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨;然后對襯底進行劃片、測試和分選，就可以得到所需的LED芯片。

如果晶片清洗不夠干凈，蒸鍍系統不正常，會導致蒸鍍出來的金屬層(指蝕刻后的電極)會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。

蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定晶片，因此會產生夾痕(在目檢必須挑除)。黃光作業內容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等，若顯影不完全及光罩有破洞會有發光區殘多出金屬。晶片在前段制程中，各項制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨等作業都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有晶粒電極刮傷情形發生。

在傳統LED大屏幕顯示技術和產品的基礎上,LED顯示應用產品在行業市場中的份額逐年增加。LED上游產業發展對顯示應用產業的發展促進作用明顯。LED產業鏈上下游之間實現良性互動,新產品、新技術推廣應用迅速,基于LED芯片材料、驅動IC、控制等技術的發展,行業內許多企業在LED綜合應用、半導體照明、燈飾亮化工程等方面形成了一定的技術基礎和生產工程基礎。

　　發光二極管(LED)上游外延和芯片價格漲價,全球LED大廠晶電,已經向下游封裝廠釋出漲價的訊息；廣光電董事長陳進財證實，已對韓國首爾半導體漲價5%至10%。由于LED廠廣泛運用在電視、筆電、照明等產品上，預期終端產品的價格可能也會跟進漲價。 　　由于零組件缺貨,使得電子產品的價格從以往固定跌價變成不跌反漲,LED芯片價格過去每年都是下滑二成,今年卻要漲價,此波從二線廠先漲起,包括璨圓、廣、新世紀、泰谷等,這些業者在產能爆滿下,已悄悄的漲價；而晶電的產能與營收是二線廠的四倍以上,在廠跟進后,整體產業鏈都會帶來價格壓力。LED顯示產品也不能幸免。或多或少都會受到影響。

　　有的企業面對漲價的局面，開始從根基改變，進行的技術創新。我國LED顯示應用行業在新技術、新產品開發方面一直具有良好的基礎。適應LED顯示屏應用市場的需求變化,2009年,行業內的許多企業在產品技術開發、和知識產權保護等方面積極開展了工作,許多新技術成果直接用于國慶60典等重點工程,取得了良好的效果。部分企業承擔了國家和地方政府的有關科技項目研究,業內大批企業獲得高新技術企業資格。