公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

做電源電路，或是做推動(dòng)領(lǐng)域的電源電路，免不了要使用MOS管。MOS管有很多類(lèi)型，也是有許多功效。做開(kāi)關(guān)電源或是推動(dòng)的應(yīng)用，自然便是用它的開(kāi)關(guān)功效。

不管N型或是P型MOS管，其原理實(shí)質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在鍵入端柵極的電流來(lái)調(diào)節(jié)輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它根據(jù)加在柵極上的電流操縱器件的特點(diǎn)，不容易產(chǎn)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流造成的正電荷儲(chǔ)存效用，因而在開(kāi)關(guān)運(yùn)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速率應(yīng)當(dāng)比三極管快。

公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

無(wú)論是NMOS或是PMOS，導(dǎo)通后都會(huì)有導(dǎo)通電阻，使得電流在電阻上耗費(fèi)一定的電能，這種耗費(fèi)叫做導(dǎo)通耗損。這時(shí)我們只要挑選導(dǎo)通電阻小的MOS管就可以減少導(dǎo)通耗損，如今的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般也就幾十毫歐的樣子，甚至幾毫歐的都有。MOS在導(dǎo)通和截至的情況下，并不是在一瞬間完成的。

MOS兩邊的電壓有一個(gè)降低的過(guò)程，流過(guò)的電流則有一個(gè)升高的過(guò)程，在這段時(shí)間內(nèi)，電壓和電流相乘即是MOS管的損耗大小。一般開(kāi)關(guān)的損耗要比導(dǎo)通的損耗要大很多，并且要是開(kāi)關(guān)頻率越高，損耗就越大。導(dǎo)通瞬間的電壓和電流相乘的數(shù)值越大，導(dǎo)致其損耗也越大。如果我們能減少開(kāi)關(guān)時(shí)間，就能夠減少每次導(dǎo)通時(shí)的損耗，減少開(kāi)關(guān)的頻率，也就能夠減少一定時(shí)間內(nèi)開(kāi)關(guān)的頻次，從而做到減少開(kāi)關(guān)損耗。

公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有很多種，其中包含直流電流、交流電流的參數(shù)和極限參數(shù)，但一般應(yīng)用時(shí)只需關(guān)心下列基本參數(shù)：飽和狀態(tài)的漏源電流量IDSS夾斷電壓Up，跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大損耗輸出功率PDSM和較大漏源電流量IDSM。