用于復(fù)印機(jī)和打印機(jī)等的帶電輥、顯影輥、色粉供給輥、轉(zhuǎn)印輥等都必須具備適當(dāng)?shù)姆€(wěn)定的電阻值。

以往，使上述輥筒具有導(dǎo)電性的方法包括采用在橡膠中混入了金屬氧化物粉末和碳黑等導(dǎo)電性填充劑的電子導(dǎo)電性橡膠的方法；采用聚氨酯橡膠、表氯橡膠等離子導(dǎo)電性橡膠(聚合物)或含有季銨鹽等離子導(dǎo)電材料的離子導(dǎo)電性聚合物的組合物的方法。

鍍膜靶材是通過(guò)磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。如今開發(fā)出來(lái)的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58，而TbFeCofFa則可以接近0。簡(jiǎn)單說(shuō)的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(zhǎng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。

各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來(lái)，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。

工業(yè)上大量使用的是工業(yè)純稀土金屬，較高純度的稀土金屬主要供測(cè)定物理化學(xué)性能之用。主要有四種提純方法在試驗(yàn)室中使用，即真空熔融，真空蒸餾或升華，電遷移和區(qū)域熔煉。但對(duì)于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測(cè)器級(jí)超純鍺，則尚須經(jīng)過(guò)特殊處理。 稀土金屬棒在區(qū)域熔煉爐中以很慢的速度（如提純釔時(shí)為0.4毫米/分），進(jìn)行多次區(qū)熔，對(duì)去除鐵、鋁、鎂、銅、鎳等金屬雜質(zhì)有明顯效果，但對(duì)氧、氮、碳、氫無(wú)效。此外，電解精煉、區(qū)熔－電遷移聯(lián)合法提純稀土也有一定效果。