用于復印機和打印機等的帶電輥、顯影輥、色粉供給輥、轉印輥等都必須具備適當的穩定的電阻值。

以往，使上述輥筒具有導電性的方法包括采用在橡膠中混入了金屬氧化物粉末和碳黑等導電性填充劑的電子導電性橡膠的方法；采用聚氨酯橡膠、表氯橡膠等離子導電性橡膠(聚合物)或含有季銨鹽等離子導電材料的離子導電性聚合物的組合物的方法。

鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。如今開發出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷破壞效應。

各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發展，極大地滿足了各種新型電子元器件發展的需求。

工業上大量使用的是工業純稀土金屬，較高純度的稀土金屬主要供測定物理化學性能之用。主要有四種提純方法在試驗室中使用，即真空熔融，真空蒸餾或升華，電遷移和區域熔煉。但對于雜質濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經過特殊處理。 稀土金屬棒在區域熔煉爐中以很慢的速度（如提純釔時為0.4毫米/分），進行多次區熔，對去除鐵、鋁、鎂、銅、鎳等金屬雜質有明顯效果，但對氧、氮、碳、氫無效。此外，電解精煉、區熔－電遷移聯合法提純稀土也有一定效果。