外延片制作出來以后，就可以按照下面的流程來制作 LED 芯片了：

外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→窗口圖形光刻→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。

在生長(zhǎng)完外延片后，下一步就開始對(duì) LED 外延片做電極（P 極，N 極），接著就開始用激光機(jī)切割 LED 外延片（以前切割 LED 外延片主要用鉆石刀），制造成芯片，然后在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測(cè)試，看看是否合格。

從上面可以看到 LED 外延片和芯片的生產(chǎn)離不開 MOCVD 、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、減薄機(jī)、劃片機(jī)、檢測(cè)設(shè)備等高i精尖設(shè)備。 LED 芯片產(chǎn)業(yè)屬于重資產(chǎn)行業(yè)，從事該行業(yè)需要先重金購(gòu)買先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，還需要配置潔凈無塵廠房，同時(shí)在各個(gè)環(huán)節(jié)還需要大量的工人。所以該行業(yè)是典型的：資金密集型、勞動(dòng)密集型和技術(shù)密集型同時(shí)具備的產(chǎn)業(yè)。

外延生長(zhǎng)的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片(主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si)上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長(zhǎng)出特定單晶薄膜。

目前LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法。

MOCVD介紹：

金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(metal-Organic Chemical Vapor Depoisition，簡(jiǎn)稱 MOCVD)， 1968年由美國(guó)洛克威爾公司提出來的一項(xiàng)制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。

該設(shè)備集精密機(jī)械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計(jì)算機(jī)多學(xué)科為一體，是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖i端光電子設(shè)備，主要用于GaN(氮化家)系半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)和藍(lán)色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)蕞有發(fā)展前途的設(shè)備之一。

在LED芯片制作過程中，把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片，分撿出來，這些就是后面的散晶，此時(shí)在藍(lán)膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片。

剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測(cè)試，對(duì)于不符合相關(guān)要求的晶圓片作另外處理，這些晶圓片是不能直接用來做LED方片，也就不做任何分檢了，直接賣給客戶了，也就是目前市場(chǎng)上的LED大圓片(但是大圓片里也有好東西，如方片)。

LED制作流程分為兩大部分。

首先在襯低上制作氮化家(GaN)基的外延片，這個(gè)過程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延爐中完成的。

準(zhǔn)備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。

常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD是利用氣相反應(yīng)物(前驅(qū)物)及Ⅲ族的有機(jī)金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進(jìn)行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。

通過控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。

MOCVD外延爐是制作LED外延片蕞常用的設(shè)備。