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軌壓傳感器是由硅膜片、電橋、放大電路三部分組成。當軌內的壓力導致硅膜片形狀變化時(近似于在150MPa時1mm),連接于膜片的電阻層阻值也將改變,改變的電阻值將引起通過5V電橋(慧斯登電橋)輸出端電壓變化,通過放大電路的處理,使新號端輸出的電壓在0-5V之間變化,ECU便根據此電壓計
軌壓傳感器是由硅膜片、電橋、放大電路三部分組成。當軌內的壓力導致硅膜片形狀變化時(近似于在150MPa時1mm),連接于膜片的電阻層阻值也將改變,改變的電阻值將引起通過5V電橋(慧斯登電橋)輸出端電壓變化,通過放大電路的處理,使新號端輸出的電壓在0-5V之間變化,ECU便根據此電壓計
為滿足納米級電子束曝光系統的要求,系統設計了一個納米圖形發生器和數模轉換電路,并采用機控制。機通過圖形發生器和數模轉換電路去驅動等儀器的掃描線圈,從而使電子束偏轉并控制束閘的通斷。通過可以對標準樣片進行圖像采集以及掃描場的校正。配合精密定位的工件臺,還可以實現曝光場的拼接和套刻。利用配套軟件也可以新建或導入多種通用格式的曝光圖形。
曝照所需電子束是由既有的產生的電子束(離子束)提供。
電子射出后,受數千乃至數萬伏特之加速電壓驅動沿顯微鏡中軸向下移動,并受中軸周圍磁透鏡作用形成聚焦電子束而對樣本表面進行掃描與圖案刻畫。掃描方式可分為循序掃描與矢量掃描。
掃描過程中,電子束的開啟與阻斷是由電子束阻斷器所控制。電子束阻斷器通常安裝在磁透鏡組上方,其功效為產生一大偏轉磁場使電子束完全偏離中軸而無法到達樣本。
(三) 阻劑(光阻)
阻劑是轉移電子束曝照圖案的媒介。阻劑通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。高能電子束的照射會改變阻劑材料的特性,再經過顯影后,曝照(負阻劑)或未曝照(正阻劑)的區域將會留在基材表面,顯出所設計的微影圖案,而后續的制程將可進一步將此圖案轉移到阻劑以下的基材中。