(1)取下陽極氧化，加去雜水5ml/l，加溫60—70度C，氣體拌和2鐘頭。(手頭上無牢固去雜劑時不需加)。

(2)有機化學雜質多時，先報名參加3—5ml/lr的30%解決，氣拌和3鐘頭。

(3)將3—5g/l粉狀特異性在持續拌和下報名參加，再次氣拌和2鐘頭，關拌和靜放4鐘頭，過慮，一起清缸。

(4)清理維護保養陽極氧化掛回。

(5)用鍍了鎳的瓦楞紙形不銹鋼板作負極，在0.5—0.1安/平方分米的電流強度下開展電解法，直到壓型板表面變化為灰白色(類似暗鎳顏色)才行，此系統進程約4—12鐘頭，雜質太多需時更長。電解法時會必需打開氣體拌和或負極挪動，以發展解決實際效果。

(6)解析調節各主要參數、報名參加解決理中遺失的一部分防腐劑、濕冷劑，必需時開展霍耳槽試驗，及格后就可以試鍍。

真空鍍膜技術的應用時較早的。真空鍍膜技術在電子方面開始是用來制造電阻和電容元件，之后隨著半導體技術在電機學領域中的應用，又使這一技術成為晶體管制造和集成電路生產的必要工藝手段。

真空鍍膜加工原理有不同可分很多種類，因為真空鍍膜加工工作環境要要求高真空度而擁有統一名稱。所以對于不同原理的真空鍍膜加工，影響均勻性的因素也不盡相同。

真空鍍膜有三種形式,即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍.蒸發鍍膜 通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。真空鍍膜是在真空中將鈦、金、石墨、水晶等金屬或非金屬、氣體等材料利用濺射、蒸發或離子鍍等技術,在基材上形成薄膜的一種表面處理過程。

真空鍍膜加工均勻性的概念：

1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，真空鍍膜加工均勻性。

2.化學組分上的均勻性： 就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產生不均勻特性，薄膜，如果鍍膜過程不科學，鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜加工的技術含量所在。

3.晶格有序度的均勻性