晶體振蕩器的基本原理及特性

晶振一般采用電容三端式(考畢茲) 交流等效振蕩電路；實際的晶振交流等效電路其中 Cv 是用來調節(jié)振蕩頻率，一般用變容二極管加上不同的反偏電壓來實現(xiàn)，這也是壓控作用的機理；把晶體的等效電路代替晶體后。其中 Co，C1，L1，RR 是晶體的等效電路。采用泛音次數(shù)越高的晶振，其等效電容 C1 就越小；因此頻率的變化范圍也就越小。

晶體振蕩器的頻差

在規(guī)定的時間內，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率的較大偏差。

說明：總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率老化率造成的偏差、頻率電壓特性和頻率負載特性等共同造成的較大頻差。一般只在對短期頻率穩(wěn)定度關心，而對其他頻率穩(wěn)定度指標不嚴格要求的場合采用。例如：精密制導雷達。

晶體振蕩器實際應用

晶體振蕩器實際應用的環(huán)境需要慎重考慮。例如，高強度的振動或沖擊會給振蕩器帶來問題。除了可能產生物理損壞，振動或沖擊可在某些頻率下引起錯誤的動作。這些外部感應的擾動會產生頻率跳動、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對于要求特殊EMI兼容的應用，EMI是另一個要優(yōu)先考慮的問題。除了采用合適的PC母板布局技術，重要的是選擇可提供輻射量小的時鐘振蕩器。一般來說，具有較慢上升/下降時間的振蕩器呈現(xiàn)較好的EMI特性。我公司備有大量現(xiàn)貨，有需要的客戶，歡迎前來選擇！